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推薦資訊

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  BAR88-02V硅PIN二極管Infineon英飛凌 2024-10-11 09:18:30

  Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設(shè)備設(shè)計(jì)，具有低正向電阻（1 mA時(shí)為1.5Ω）、低電容（0.28 pF@1 GHz）、極低信號(hào)失真和無鉛RoHS封裝。適用于無線通信（如手機(jī)、WLAN）和高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)（如LTE、5G），技術(shù)參數(shù)包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復(fù)時(shí)間。因其高速開關(guān)和低信號(hào)失真特性，符合綠色制造標(biāo)準(zhǔn)。

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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。